哈工大打破EUV光刻技能壁垒135nm光源荣获一等奖！
我国高端制作再传喜讯！据哈尔滨工业大学音讯，该校航天学院赵永蓬教授团队研制的放电等离子体极紫外（EUV）光刻光源，凭仗颠覆性技能效果，荣获2024黑龙江省高校和科研院所员工科学技能立异效果转化大赛一等奖。这一技能的打破，不只绕过了ASML的技能壁垒，更为我国高端芯片制作的未来供给了全新或许。
当时，EUV光刻技能是先进芯片制作的中心，而ASML的EUV光刻机技能道路依靠于激光炮击锡液滴发生等离子体，这一进程触及高能激光器组件和杂乱的FPGA芯片操控，中心技能长时间被国外独占。
赵永蓬教授团队另辟蹊径，研制出根据电能的等离子体光源技能，直接使用电能生成等离子体，发生13.5nm极紫外光。比较传统技能，哈工大的计划具有以下优势：
2. 设备更廉价：减少了对高精密激光器和进口FPGA芯片的依靠，下降生产本钱。
3. 绕开技能壁垒：无需依靠国外要害组件，自主性更强，处理了我国高端芯片制作中的“卡脖子”问题。
极紫外光刻光源是EUV光刻机的中心部件之一，占有整机本钱的重要份额。哈工大的立异技能，不只仅能够满意EUV光刻商场对高性能光源的火急需求，还为我国在高端制作范畴完成技能自主奠定了重要根底。
这一打破，或将推进国产EUV光刻机加快研制和产业化进程，为我国半导体产业链迈向更高层次供给微弱助力。
业界有经历的人指出，EUV光刻机是芯片制作中的“皇冠明珠”，而光源技能的打破是皇冠上的宝石。哈工大的计划，虽间隔全面产业化仍需技能优化，但已证明我国科研力气在世界顶级范畴具有强壮竞争力。
哈工大团队的技能打破是否能加快国产光刻机的兴起？你对我国高端芯片制作的未来有什么等待？欢迎在谈论区共享你的观点，并点击重视，获取更多科技前沿资讯！回来搜狐，检查更加多
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